2. ZQ校準：
ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）來自動校驗數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動器導通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當系統(tǒng)發(fā)出這一指令之后，將用相應的時鐘周期（在加電與初始化之后用512個時鐘周期，在退出自刷新操作后用256時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
3. 參考電壓分成兩個：
對于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號VREF，在DDR3系統(tǒng)中將分為兩個信號。一個是為命令與地址信號服務的VREFCA，另一為數(shù)據(jù)總線服務的VREFDQ，它將有效的提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級。
4. 根據(jù)溫度自動自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）：
為了保證所保存的數(shù)據(jù)不丟失，DRAM必須定時進行刷新，DDR3也不例外。不過，為了最大的節(jié)省電力，DDR3采用了一種新型的自動自刷新設計（ASR，Automatic Self-Refresh）。當開始ASR之后，將通過一個內(nèi)置于DRAM芯片的溫度傳感器來控制刷新的頻率，因為刷新頻率高的話，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度傳感器則在保證數(shù)據(jù)不丟失的情況下，盡量減少刷新頻率，降低工作溫度。不過DDR3的ASR是可選設計，并不見得市場上的DDR3內(nèi)存都支持這一功能，因此還有一個附加的功能就是自刷新溫度范圍（SRT，Self-Refresh Temperature）。通過模式寄存器，可以選擇兩個溫度范圍，一個是普通的的溫度范圍（例如0℃至85℃），另一個是擴展溫度范圍，比如最高到95℃。對于DRAM內(nèi)部設定的這兩種溫度范圍，DRAM將以恒定的頻率和電流進行刷新操作。
5. 局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）：
這是DDR3的一個可選項，通過這一功能，DDR3內(nèi)存芯片可以只刷新部分邏輯Bank，而不是全部刷新，從而最大限度的減少因自刷新產(chǎn)生的電力消耗。這一點與移動型內(nèi)存（Mobile DRAM）的設計很相似。
6. 點對點連接（P2P，Point-to-Point）：
這是為了提高系統(tǒng)性能而進行了重要改動，也是與DDR2系統(tǒng)的一個關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中，一個內(nèi)存控制器將只與一個內(nèi)存通道打交道，而且這個內(nèi)存通道只能一個插槽。因此內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點對點（P2P，Point-to-Point）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（P22P，Point-to-two-Point）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負載。而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2（高級內(nèi)存緩沖器）。不過目前有關(guān)DDR3內(nèi)存模組的標準制定工作剛開始，引腳設計還沒有最終確定。
DDR3帶給移動平臺什么
DDR3其實早在登錄臺式機和筆記本電腦平臺的時候，就已經(jīng)在顯存領域試水了，它的高帶寬讓顯卡的性能又一次獲得了提升。那么DDR3應用到筆記本電腦的移動領域，又將會帶來什么樣的新局面呢？
從前面的參數(shù)對比上，我們已經(jīng)看到，除了性能上的進步之外，DDR3比DDR2的能耗更低。能耗，對于移動平臺來說，是一個關(guān)系到電池能力，發(fā)熱量，甚至外形設計的一個重要關(guān)鍵詞。雖然內(nèi)存的功耗不至于有發(fā)一而動全身的影響力，但至少有幾點是可以肯定的。
在系統(tǒng)運行和待機狀態(tài)下，DDR3內(nèi)存可以讓電池獲得更多的使用時間。與DDR2內(nèi)存相比，DDR3可以增加10多分鐘的HD DVD回放時間。DDR3內(nèi)存的發(fā)熱量更低，其散熱范圍為3瓦時，它能滿足Windows Premium和HD DVD標識要求，更符合能源之星的標準要求，在更小的發(fā)熱量下，筆記本電腦將有可能被設計出更纖小，更緊湊的外形。
