紋波測(cè)試檢測(cè)電源在滿載狀態(tài)下各路輸出的直流波形，分為低頻10毫秒與高頻10微妙兩個(gè)頻段測(cè)試，Intel規(guī)定電源+12V滿載時(shí)高低頻紋波上下振幅之和不能超過(guò)120mV，+5V/+3.3V滿載時(shí)高低頻紋波上下振幅之和不能超過(guò)50mV，下列示波器截圖顯示了先馬300w銅牌電源在滿載狀態(tài)下的紋波表現(xiàn)。
+3.3V下的低頻紋波（左）和高頻噪聲（右）
+3.3V測(cè)試，低頻紋波和高頻噪聲為40mv，稍顯偏高。
+5V下的低頻紋波（左）和高頻噪聲（右）
和3.3V一樣，在+5V測(cè)試中，低頻紋波和高頻噪聲分別為40mv，都在允許范圍之內(nèi)，不過(guò)同樣稍顯偏高。
+12V1下的低頻紋波（左）和高頻噪聲（右）
+12V測(cè)試測(cè)試，低頻紋波和高頻噪聲在70mv，不能算很出色，不過(guò)離Intel 120mV苛刻的紋波規(guī)范紅線還有段距離�？傮w而言，先馬EPS-300-1的紋波表現(xiàn)一般。
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