英特爾公司完成了下一代制造工藝的開發(fā)工作，進一步把芯片電路縮小至32納米。英特爾計劃將于2009年第四季度推出基于高能效、更密集的晶體管的產品。
英特爾公司將于下周在舊金山舉行的國際電子器件會議（IEDM）上披露32納米制程技術的相關細節(jié)及其它主題信息。英特爾將在預定時間內完成32納米制程技術的開發(fā)及處理器制造的前期準備工作，這意味著其產品與制程發(fā)展計劃“Tick-tock”戰(zhàn)略再次得以成功實施。
“Tick-tock”戰(zhàn)略指英特爾每隔12個月將交替推出全新的處理器微架構和領先的制程技術，這一獨特的發(fā)展模式推動了產業(yè)的持續(xù)發(fā)展。隨著明年32納米芯片的推出，這將是英特爾公司連續(xù)第四年實現“Tick-tock”戰(zhàn)略目標。
英特爾即將發(fā)布的32納米論文及報告介紹了新的邏輯技術，融合了第二代高K金屬柵極技術、面向關鍵圖案形成層的193納米浸沒式光刻技術以及增強型溝道應變技術。這些特性進一步增強了英特爾處理器的性能和能效。與現有的其它32納米技術相比，英特爾的制程技術擁有業(yè)內最高的晶體管性能和晶體管密度。
英特爾高級院士兼制程架構與集成總監(jiān)馬博（Mark Bohr）表示：“對于基于英特爾架構的筆記本電腦、服務器和臺式機，我們的制造能力和產品能夠為其實現業(yè)內領先的計算性能和電池續(xù)航能力。正如我們今年所展示的，英特爾的制造戰(zhàn)略和執(zhí)行能力還讓我們能夠為移動互聯(lián)網設備（MID）、消費電子設備、嵌入式計算機和上網本等提供全新的產品線�！�
英特爾在IEDM上發(fā)表的其它論文涉及：一款低功率SoC版英特爾45納米制程；基于復合半導體的晶體管；提升45納米晶體管性能的襯底工程；為45納米和更高節(jié)點集成化學機械拋光；以及集成硅光電子調制器陣列。英特爾還將參與一個有關22納米CMOS技術的短期課程。
