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以典型的VIA KT333主板為例，進入BIOS后找到“DRAM Clock(內(nèi)存時鐘頻率)”選項，即有“Host Clock(總線頻率和內(nèi)存工作頻率同步)、Hclk-33MHz(總線頻率減33MHz)、Hclk+33MHz（總線頻率+33MHz）”等三種模式可選。
四、用實例說話
上面介紹了那么多有關(guān)于內(nèi)存優(yōu)化的知識，大家肯定最想看到的還是實際的例證。OK，筆者做了一個簡單的測試。測試平臺：Athlon XP1800+(未超頻)、Apacer DDR333 512MB、GeForce4 Ti4200、VIA KT333主板，測試游戲為經(jīng)典的Quake3 Arena。測試結(jié)果如下：
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從以上的測試數(shù)據(jù)對比可以看到，優(yōu)化內(nèi)存設置對FPS游戲幀速度的提高不無小補，平均幅度達到4％－5％。
五、觀點：
相較其他內(nèi)存優(yōu)化技術(shù)，內(nèi)存異步調(diào)節(jié)的穩(wěn)定性要好得多，建議大家多根據(jù)所用內(nèi)存的規(guī)格充分應用之。當內(nèi)存參數(shù)設定過高或超頻導致系統(tǒng)不穩(wěn)定時，適當?shù)卦黾觾?nèi)存電壓可以提高系統(tǒng)穩(wěn)定性（需主板支持），增加內(nèi)存電壓幅度最好不要超過0.3V。
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