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在BIOS中優(yōu)化內(nèi)存的方法

http://www.yibo1263.com 2008/10/18 20:33:30  來源:東北IT網(wǎng)  編輯:葉子
 

  Memory Hole At 15M-16M(位于15M~16M的內(nèi)存保留區(qū))

  可選項: Disabled,Enabled。

  一些特殊的ISA擴展卡的正常工作需要使用位于15M~16M的內(nèi)存區(qū)域,該參數(shù)設(shè)為Enabled就將該內(nèi)存區(qū)域保留給此類ISA擴展卡使用。由于PC'99規(guī)范已不再支持ISA擴展槽,所以新型的主板一般都沒有ISA插槽,因而應(yīng)將該參數(shù)設(shè)為Disabled。

  System Memory Frequency(系統(tǒng)內(nèi)存頻率)

  可選項:AUTO、100MHz、133MHz。

  此項設(shè)置實現(xiàn)內(nèi)存異步運行管理功能。AUTO:根據(jù)內(nèi)存的特性自動設(shè)定內(nèi)存的工作頻率;100MHz:將內(nèi)存強制設(shè)定在100MHz頻率下工作;133MHz:將內(nèi)存強制設(shè)定在133MHz頻率下工作。

  Memory Parity/ECC Check(內(nèi)存奇偶/ECC校驗)

  可選項:Disabled,Enabled。

  如果系統(tǒng)使用了ECC內(nèi)存,可以將該參數(shù)設(shè)為Enabled,否則一定要將該參數(shù)設(shè)成Disabled。ECC表示差錯校驗和糾正(Error Checking and Correction)一般是高檔服務(wù)器內(nèi)存條所具備的功能,這種內(nèi)存條有實現(xiàn)ECC功能的內(nèi)存顆粒,使系統(tǒng)能夠檢測并糾正內(nèi)存中的一位數(shù)據(jù)差錯或者是檢測出兩位數(shù)據(jù)差錯。ECC功能可以提高數(shù)據(jù)的完整性和系統(tǒng)的穩(wěn)定性,這對服務(wù)器尤其重要,但ECC會造成一定的性能損失。

  VIA芯片組主板

  VIA芯片組主板一般比Intel芯片組主板內(nèi)存設(shè)置選項要豐富一些,在這類主板BIOS的Advanced Chipset Features(高級芯片組特性)設(shè)置頁面中一般包含以下內(nèi)存設(shè)置項:

  Bank 0/1、2/3、4/5 DRAM Timing(內(nèi)存速度設(shè)定)

  可選項:Turbo(高速),F(xiàn)ast(快速),Medium(中等),Normal(正常),SDRAM 8/10 ns。

  該選項用于設(shè)定內(nèi)存的速度,對于SDRAM內(nèi)存條,設(shè)定為SDRAM 8/10 ns即可。

  SDRAM Clock(內(nèi)存時鐘頻率)

  可選項:HOST CLK,HCLK+33M(或HCLK-33M)。

  該參數(shù)設(shè)置內(nèi)存的異步運行模式。HOST CLK表示內(nèi)存運行頻率等于系統(tǒng)的外頻,HCLK+33M表示內(nèi)存運行頻率等于系統(tǒng)外頻再加上33MHz,HCLK-33M表示內(nèi)存運行頻率等于系統(tǒng)外頻減去33MHz。如PentiumⅢ 800EB時,BIOS自動使該參數(shù)的可選項出現(xiàn)HOST CLK和HCLK-33M,如果使用PC133內(nèi)存,可以將該參數(shù)設(shè)為HOST CLK,如果使用PC100內(nèi)存,則可以將該參數(shù)設(shè)為HCLK-33M,這樣就可使系統(tǒng)配合性能較低的PC100內(nèi)存使用。內(nèi)存異步功能使系統(tǒng)對內(nèi)存的兼容性的提升是比較明顯的,也是VIA芯片組一項比較重要的功能。

  Bank Interleave(內(nèi)存Bank交錯)

  可選項:Disabled,2-Bank,4-Bank。

  內(nèi)存交錯使SDRAM內(nèi)存各個面的刷新時鐘信與讀寫時鐘信號能夠交錯出現(xiàn),這可以實現(xiàn)CPU在刷新一個內(nèi)存面的同時對另一個內(nèi)存面進行讀寫,這樣就不必花費專門的時間來對各個內(nèi)存面進行刷新。而且在CPU即將訪問的一串內(nèi)存地址分別位于不同內(nèi)存面的情況下,內(nèi)存面交錯使CPU能夠?qū)崿F(xiàn)在向后一個內(nèi)存面發(fā)送地址的同時從前一個內(nèi)存面接收數(shù)據(jù),從而產(chǎn)生一種流水線操作的效果,提高了SDRAM內(nèi)存的帶寬。因此,有人甚至認(rèn)為啟用內(nèi)存交錯對于系統(tǒng)性能的提高比將內(nèi)存CAS延遲時間從3改成2還要大。

  不過,內(nèi)存交錯是一個比較高級的內(nèi)存設(shè)置選項,有一些采用VIA 694X芯片組的主板由于BIOS版本較舊,可能沒有該設(shè)置項,這時可以升級主板的BIOS。如果在最新版的BIOS中仍未出現(xiàn)該設(shè)置項,那就只有通過某些VIA芯片組內(nèi)存BANK交錯開啟軟件,如WPCREdit和相應(yīng)的插件(可以從"驅(qū)動之家"網(wǎng)站下載)來修改北橋芯片的寄存器,從而打開內(nèi)存交錯模式。

  SDRAM Driver Strength(內(nèi)存訪問信號的強度)

  可選項:Auto,Manual。

  此選項用于控制內(nèi)存訪問信號的強度。一般情況下可以將該選項設(shè)置成Auto,此時芯片組承擔(dān)內(nèi)存訪問信號強度的控制工作并自動調(diào)整內(nèi)存訪問信號的強度以與電腦中安裝的內(nèi)存相適應(yīng)。如果需要超頻或排除電腦故障,則可以將該參數(shù)設(shè)為Manual,這時就可以手工調(diào)整SDRAM Driver Value(內(nèi)存訪問信號強度值)的數(shù)值。

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