盡管DDR2有價(jià)格低廉，性能不俗等優(yōu)點(diǎn)，但是隨著更多諸如Atlon64 x2和Core2 Quad等多核心高性能處理器的出現(xiàn)，原本已經(jīng)十分緊缺的系統(tǒng)總線帶寬變得更為吃緊。而一些發(fā)燒友則選擇對(duì)內(nèi)存進(jìn)行超頻以獲取更好的性能。但這畢竟只是治標(biāo)不治本的方法。2007年6月，內(nèi)存規(guī)范組織JEDEC制定了DDR3的相應(yīng)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)，同年，大量頂尖品牌的DDR3內(nèi)存開始陸續(xù)上市。
相比傳統(tǒng)DDR2內(nèi)存，新一代DDR3內(nèi)存有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)；
1.得益于預(yù)取位數(shù)達(dá)到8BIT，擁有比DDR2高一倍以上的接口頻率，日后甚至能達(dá)到高達(dá)的預(yù)取位數(shù)和工作頻率。
2.默認(rèn)主頻提升明顯，對(duì)改善系統(tǒng)性能有顯而易見的作用。
3.設(shè)計(jì)工作電壓更低，僅需1.5V即可滿足需求，在降低功耗的同時(shí)解決了散熱的問題。
4.內(nèi)置8組BANK單元，對(duì)大容量?jī)?nèi)存支持更好，能夠輕易達(dá)成單條超大容量目的。
DDR3內(nèi)存的頻率從1066MHz起跳，而這一水準(zhǔn)恰恰也正是標(biāo)準(zhǔn)DDR2內(nèi)存的極限頻率。DDR3內(nèi)存的上限可達(dá)2400MHz以上，其頻率范圍之大比DDR+DDR2的總和還高。對(duì)于長(zhǎng)期處于系統(tǒng)帶寬吃緊的內(nèi)存來說，高頻率下無疑能提高系統(tǒng)和游戲的各方面性能。
說起頻率就不得不說一下DDR3內(nèi)存的核心工作頻率，和顆粒本身不同的是，每根內(nèi)存有一個(gè)核心工作頻率，通常這個(gè)頻率都為200MHz，而DDR2內(nèi)存的預(yù)取位數(shù)在設(shè)計(jì)時(shí)被設(shè)定成了4，因此外部接口可以以4倍于核心頻率的狀態(tài)下工作，也就是DDR2 800MHz。而DDR3內(nèi)存的初始預(yù)取位數(shù)就被設(shè)計(jì)成了8，因此其可以工作在1600MHz的高頻率，甚至在將來DDR3內(nèi)存還能支持更高的預(yù)取位數(shù)，以獲取超高頻率。
實(shí)際上，DDR3內(nèi)存相比DDR2在架構(gòu)上并沒有太多更新，簡(jiǎn)單的說起來還不如說成為高頻而升級(jí)。反倒是對(duì)內(nèi)存有相當(dāng)分量的延遲參數(shù)也相應(yīng)的增加了不少。在DDR內(nèi)存時(shí)代，CL值通常在3左右，到了DDR2時(shí)代則上升到了5，而DDR3內(nèi)存則增加到了5～11，雖然CL值提高會(huì)或多或少的影響內(nèi)存性能，但介于DDR3內(nèi)存很容易提升頻率，因此在較高的頻率下，CL延遲所帶來的負(fù)面音素將被完全覆蓋。
除了頻率高性能出色外，DDR3內(nèi)存的工作電壓也有所降低。DDR內(nèi)存的默認(rèn)電壓在2.5V左右，而到了DDR2內(nèi)存則降低到了1.8V，到了DDR3內(nèi)存時(shí)代，其電壓降低到了1.5V。作為電氣設(shè)備來說，新設(shè)計(jì)和新工藝促使內(nèi)存電壓可以運(yùn)行在更低的電壓下，這意味著內(nèi)存將更加節(jié)能，同時(shí)其發(fā)熱量也會(huì)相應(yīng)的降低。除此以外，DDR3內(nèi)存中的默認(rèn)BANK數(shù)達(dá)到前所未有的8個(gè)之多，這意味著內(nèi)存核心可以管理更多的容量，而不必再拘泥于BANK識(shí)別問題，即便起跳容量達(dá)到2GB也完全不是問題。
