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臺(tái)積電2nm工藝研發(fā)進(jìn)展超預(yù)期

http://www.yibo1263.com 2020/9/28 11:24:32  來源:網(wǎng)絡(luò)  編輯:吳曉
 

據(jù)國外媒體報(bào)道,在 5nm 工藝今年一季度投產(chǎn),為蘋果等客戶代工最新的處理器之后,芯片代工商臺(tái)積電下一步的工藝研發(fā)重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的 3nm 和 2nm 工藝。

臺(tái)積電 CEO 魏哲家透露,他們 3nm 工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃推進(jìn),仍將采用成熟的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)(FinFET),計(jì)劃在明年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2022 年下半年大規(guī)模投產(chǎn)。

同多次提及的 3nm 工藝相比,臺(tái)積電目前并未公布太多 2nm 工藝的消息,在近幾個(gè)季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上均未曾提及。

雖然臺(tái)積電方面未對(duì)外公布 2nm 工藝的消息,但外媒援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息,還是進(jìn)行過多次報(bào)道。

在最新的報(bào)道中,外媒援引產(chǎn)業(yè)鏈消息人士的透露報(bào)道稱,臺(tái)積電 2nm 工藝的研發(fā)進(jìn)展超出預(yù)期,快于他們的計(jì)劃。

這一消息人士還透露,臺(tái)積電的 2nm 工藝,不會(huì)繼續(xù)采用成熟的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù),而會(huì)采用環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)(GAA)。

在此前的報(bào)道中,外媒提及的與臺(tái)積電 2nm 工藝相關(guān)的信息,出現(xiàn)過兩次,均是在 8 月底。其一是臺(tái)積電已在謀劃 2nm 工藝的芯片生產(chǎn)工廠,將建在總部所在的新竹科學(xué)園區(qū),臺(tái)積電負(fù)責(zé)營運(yùn)組織的資深副總經(jīng)理秦永沛,透露他們已經(jīng)獲得了建廠所需的土地。第二次是在上月底的臺(tái)積電 2020 年度全球技術(shù)論壇上,他們透露正在同一家主要客戶緊密合作,加快 2nm 工藝的研發(fā)進(jìn)展,相關(guān)的投資也在推進(jìn)。

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