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關(guān)于CPU超頻的文章以有不少，本文可謂其中的發(fā)燒級作品。文章理論聯(lián)系實(shí)際，給讀者全新的超頻技術(shù)，不過要注意，按照以下文章的內(nèi)容操作，可能會出現(xiàn)破壞性的結(jié)果。如果你沒有相應(yīng)的電工常識，請勿照做！
一、降壓超頻的理論基礎(chǔ)與超頻實(shí)例
為了榨干CPU的每一滴油水，我們幾乎什么方法都試過，甚至有人想過提高CPU的電壓，為了降低CPU的溫度又去"超風(fēng)扇"，為了一時的"歡樂"不惜損命折壽。于是有人提倡超頻、有人反對超頻。該不該超？
帶著這個問題我查找了有關(guān)電子方面的書籍，書中有關(guān)可靠性寫道：電子設(shè)備的可靠性是指在規(guī)定條件下和規(guī)定時間內(nèi),完成規(guī)定功能的能力。通俗地講，易損壞的機(jī)器可靠性差，反之可靠性高。不難發(fā)現(xiàn)，各種電子元、器件，如電容、電阻、晶體管等均和電壓有關(guān)。根據(jù)電介質(zhì)物理中的瓦格納理論，電容器的損壞以熱擊穿為主，擊穿機(jī)率q與電壓V的平方成正比，即q∝V2。密勒(S.L.Miller)專門對PN結(jié)擊穿進(jìn)行過研究，指出擊穿機(jī)率q與電場強(qiáng)度E之間有如下關(guān)系：q∝6e3.9×100000E。由上述兩式計(jì)算可知，如果電壓允許降低為原電壓值的十分之一的話，電容器和晶體管擊穿的可能性將分別降低為原來的百分之一和二萬分之一。反之電壓升高擊穿的可能性將增大。電容器、晶體管的擊穿除了與外加電壓有關(guān)外還與溫度有關(guān)。以PN結(jié)為例，PN結(jié)溫度每降低10℃左右，失效率可下降約一個數(shù)量級。
盡管上述理論是針對電容器或晶體管的，但我們知道CPU是由許許多多的晶體管組成的，CPU本身高溫及增加外電壓的結(jié)果是降低了CPU的可靠性，可靠性下降后CPU更易損壞，但一不定立即燒壞。
最近我在老主板ASUS TX97-E上進(jìn)一步發(fā)掘潛力，從ASUS的主頁可以查出該主板支持K6芯片，具體做法如下:
1、電壓2.2V跳線（新增）:REV 1.12之后，VID2: 空;VID1: 1- 2;VID0: 空。（本人實(shí)測電壓確實(shí)如此）
2、倍頻跳線（新增）:
×5.0 BF2: 2-3 BF1: 2-3 BF0:1-2
×5.5 BF2:2-3 BF1:1-2 BF0:1-2
在TX97-E這塊主板上用鎖頻的Intel MMX 200最高只能用到3×83=250，如果換一塊新的Super 7主板其超頻還要高,可見其能力并未用盡，于是我用原本支持K6的2.2V電壓去驅(qū)動MMX 200，激動人心的時候出現(xiàn)了。在如此低的電壓下，MMX 200不但支持3×66，還支持 3×75，WIN95的藍(lán)天白云依然美麗。MMX 200的核心電流6.5A(2.8V),如果電流不變（電壓下降，電流必定更�。�(dāng)電壓為2.2V時，功率下降為6.5×(2.8-2.2)=3.9W。翻開《微型計(jì)算機(jī)》1998年第3期第75頁，臺式機(jī)的MMX CPU核心電壓為2.8V，外部功率為4.1W，而便攜機(jī)用的同類CPU核心電壓為2.45V，外部功率為7.7W。由此可見，用2.2V電壓，功率將下降3.9W以上，實(shí)際情況估計(jì)會下降一半以上。現(xiàn)今你可以盡情超頻了，從溫度計(jì)看到的是CPU溫度上升得慢，要升也僅有幾度，原來要上升十幾度！不過該方法的唯一缺點(diǎn)是，進(jìn)入BIOS后會發(fā)現(xiàn)核心電壓顯示為2.2V[ERR]，看來主板都不相信這是真的。這塊MMX 200其型號為SL23W 盒裝黑金剛。大家不妨試試Intel的其它芯片，我想也會有意想不到的收獲。
二、手工調(diào)整主板CPU內(nèi)核電壓 本新聞共 3頁,當(dāng)前在第 1頁 1 2 3 |
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