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內(nèi)存參數(shù)終極優(yōu)化之DDR篇

http://www.yibo1263.com 2008/10/18 20:26:13  來源:東北IT網(wǎng)  編輯:葉子
 

  頁面數(shù)量的計算公式為: P-Bank 數(shù)量X4,如果是Pentium4或AMD 64 的雙通道平臺,則還要除以2。比如兩條單面256MB內(nèi)存,就是 2X4=8個頁面,用在875上組成雙通道就成了4個頁面。

  b、對于875和865平臺,雙通道時頁面數(shù)達(dá)到8或者以上時,tRAS設(shè)置長一些內(nèi)存性能更好;對于非雙通道Pentium4與AMD 64 平臺,tRAS長短之間的性能差異要縮小


    二、Bank Interleaving“內(nèi)存交錯技術(shù)”(可能的選項:Off/Auto/2/4)

    這里的Bank是指L-Bank,目前的DDR RAM的內(nèi)存芯片都是由4個L-Bank所組成,為了最大限度減少尋址沖突,提高效率,建議設(shè)為4(Auto也可以,它是根據(jù)SPD中的L-Bank信息來自動設(shè)置的)。有人甚至認(rèn)為啟用內(nèi)存交錯對于系統(tǒng)性能的提高比將內(nèi)存CAS延遲時間從3改成2還要大。 
  Intel和VIA都支持內(nèi)存交錯技術(shù),主要模式有2路交錯(2-Bank )和4路交錯(4-Bank)兩種;不過出于對系統(tǒng)的穩(wěn)定性考慮,很多支持該技術(shù)的主板在默認(rèn)情況下都關(guān)閉了內(nèi)存交錯技術(shù),或最多開啟2路內(nèi)存交錯模式——雖然4路交錯可以帶來更大的性能提升。通過升級BIOS,VIA 694X以上芯片組都有機(jī)會開啟內(nèi)存交錯設(shè)置項;即便BIOS不支持,也可以通過WPCREdit等專用軟件來修改北橋芯片的寄存器,從而打開內(nèi)存交錯模式。

  三、Burst Length“突發(fā)長度”(可能的選項:4/8)

    一般而言,如果是AMD Athlon XP或Pentium4單通道平臺,建議設(shè)為8,如果是Pentium4或AMD 64的雙通道平臺,建議設(shè)為4。


  四、Command Rate“首命令延遲”(可能的選項:1/2)

    這個選項目前已經(jīng)非常少見,一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址,先要進(jìn)行P-Bank的選擇(通過DIMM上CS片選信號進(jìn)行),然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令,單位是時鐘周期。顯然,也是越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多,控制芯片組的負(fù)載也隨之增加,過短的命令間隔可能會影響穩(wěn)定性。因此當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時間,才需要將此參數(shù)調(diào)長。目前的大部分主板都會自動設(shè)置這個參數(shù)。

  五、DRAM Clock“內(nèi)存時鐘頻率”(可能的選項:Host Clock/Hclk-33MHz/Hclk+33MHz,說明:Host Clock即總線頻率和內(nèi)存工作頻率同步、Hclk-33MHz即總線頻率減33MHz、Hclk+33MHz即總線頻率+33MHz”等三種模式可選。)

  在內(nèi)存同步工作模式下,內(nèi)存的運(yùn)行速度與CPU外頻相同。內(nèi)存異步則是指兩者的工作頻率可存在一定差異。該技術(shù)可令內(nèi)存工作在高出或低于系統(tǒng)總線速度33MHz的情況下(也有采用3:4、4:5的倍頻模式的)。 
  通過調(diào)整該參數(shù),我們不僅可以讓“老”內(nèi)存發(fā)揮余熱,更重要的是可以充分挖掘內(nèi)存的潛力及獲得更寬泛的超頻空間。Intel的810~875系列芯片組和威盛的693以后的產(chǎn)品,都支持內(nèi)存異步。 

  注意:在BIOS中對內(nèi)存進(jìn)行優(yōu)化設(shè)置可能會對電腦運(yùn)行的穩(wěn)定性造成不良影響,所以建議內(nèi)存優(yōu)化后一定要使用測試軟件進(jìn)行電腦穩(wěn)定性和速度的測試。如果您對自己內(nèi)存的性能沒有信心,那么最好采取保守設(shè)置,畢竟穩(wěn)定性是最重要的。如果因內(nèi)存優(yōu)化而出現(xiàn)電腦經(jīng)常死機(jī)、重啟動或程序發(fā)生異常錯誤等情況,只要清除CMOS參數(shù),再次設(shè)置成系統(tǒng)默認(rèn)的數(shù)值就可以了。同時,如果內(nèi)存運(yùn)行不穩(wěn)定或兼容性差,可以根據(jù)文章中的相關(guān)介紹,反優(yōu)化之道行之,可起到提高內(nèi)存穩(wěn)定性的效果。

  說明:本文系參閱網(wǎng)上有關(guān)內(nèi)存優(yōu)化的不少文章整理而成,從實用和全面的角度出發(fā),去掉了不少專業(yè)性太強(qiáng)的陳述及評測,旨在幫助菜鳥朋友們了解內(nèi)存設(shè)置,化化內(nèi)存,提高系統(tǒng)性能,解決內(nèi)存不穩(wěn)定和兼容性差而引發(fā)的故障。

本新聞共3頁,當(dāng)前在第2頁  1  2  3  

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