美光公司近日宣布，他們已經(jīng)開(kāi)始應(yīng)用34nm新制程，批量生產(chǎn)16Gb和32Gb容量的MLC NAND閃存顆粒。
美光34納米MLC閃存芯片
新工藝最明顯的優(yōu)勢(shì)就在于芯片面積的縮小，以及隨之帶來(lái)的成本下降。美光表示，34nm 16Gb MLC NAND顆粒的面積僅有84平方毫米，而32Gb版本則比美光的第一代32Gb芯片面積小17%。新的34nm 16Gb/32Gb MLC顆粒均支持ONFI 2.1接口，最高傳輸速度可到200MB/s。相比之下，傳統(tǒng)的SLC顆粒也不過(guò)40MB/s。因此，這樣的新顆粒再搭配多路讀寫(xiě)技術(shù)，制造出的固態(tài)硬盤(pán)將直指SATA 3Gbps甚至SATA 6Gbps標(biāo)準(zhǔn)的速度極限。
美光34納米MLC閃存芯片晶圓
另外，美光旗下的存儲(chǔ)卡企業(yè)Lexar公司也同時(shí)宣布，已經(jīng)將34nm工藝閃存應(yīng)用在自己的Platinum II系列32GB SDHC卡，以及16GB MicroSDHC卡中。而到今年9月底，Lexar的全系列SD/SDHC/MicroSDHC/CF/MS/M2存儲(chǔ)卡和JumpDrive系列閃盤(pán)都將使用34nm工藝閃存。
