近日，三星采用50nm工藝造出了世界首款4Gb(512MB）DDR3內(nèi)存顆粒，使得單根筆記本內(nèi)存達到8GB容量，較之目前市售筆記本單根內(nèi)存2GB的容量來說是一次巨大的變革。三星聲稱，臺式機的內(nèi)存顆粒也可以達到這個數(shù)量，單根內(nèi)存條容量更可達到16GB。
這款內(nèi)存顆粒也具有低功耗和低發(fā)熱的特點，比現(xiàn)在市場上的普通DDR3效率更高。三星估計，在一個2Gb的內(nèi)存顆粒上使用的話節(jié)約20%的功耗，傳輸速達則達到1.6Gb/s。
