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Off-Chip Driver Calibration 或者OCD ，是一些I/O驅(qū)動(dòng)電阻，它可以通過(guò)調(diào)整電壓而平衡Pull-up/Pull-down 電阻。通過(guò)最少DQ-DQS 畸變，改進(jìn)了信號(hào)的完整性，并且通過(guò)控制overshoot和undershoot，還有通過(guò)I/O 驅(qū)動(dòng)電壓校驗(yàn)，改進(jìn)信號(hào)的質(zhì)量。
在4-bit 預(yù)取的架構(gòu)里面，DDR2 SDRAM 每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。這里有點(diǎn)想請(qǐng)大家注意，那就是DDR2 的內(nèi)部時(shí)鐘要比DDR1 更慢，不過(guò)由于它的預(yù)取要比DDR1 大，因此外部時(shí)鐘被加倍了。例如，我們使用DDR2 的4-bit 預(yù)取在今天的DDR400 上面，那么它將運(yùn)作在DDR800 。不過(guò)既然這是不可能的，因此DDR2 400模組的內(nèi)部時(shí)鐘僅能夠降低到100MHz，而DDR2-533 則為133MHz ，DDR400和DDR2 400 有相似的性能。
對(duì)于我們這些需要最新最快速技術(shù)的人，這究竟以為著什么？基本上來(lái)說(shuō)，沒(méi)有，也就是說(shuō)從DDR400 到DDR2 400沒(méi)有性能的增長(zhǎng)，甚至從DDR-533 到DDR2-533 也依然如此。DDR2 技術(shù)是使得內(nèi)存速度能夠超越DDR533，甚至更高，而在以后DDR1 VS DDR2 的性能對(duì)比測(cè)試中，我們更會(huì)有更深刻的體現(xiàn)。
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