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Rambus發(fā)布內(nèi)存創(chuàng)新技術(shù) 突破3200Mbps

http://www.yibo1263.com 2009-5-29 7:50:35  來源:本站  編輯:東三省
 

Rambus公司是專注于高速內(nèi)存架構(gòu)技術(shù)的全球一流技術(shù)授權(quán)企業(yè),為了突破目前DDR3內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸率的極限3200Mbps,Rambus公司今天發(fā)布了一組創(chuàng)新技術(shù),這些創(chuàng)新技術(shù)充分利用了Rambus的多項獲獎設(shè)計,含有幾項專利技術(shù)和正在申請的專利技術(shù)。借助于這一組創(chuàng)新技術(shù),設(shè)計師可以實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存數(shù)據(jù)率、更有效的處理能力、更優(yōu)的功率效率,并能用更大的存儲容量來滿足今后計算應(yīng)用的需求。

Rambus公司的研究員說:“產(chǎn)品在多核運(yùn)作、虛擬化以及芯片集成方面的改進(jìn)對存儲子系統(tǒng)提出了越來越多的要求,這也成了阻礙目前高性能計算系統(tǒng)發(fā)展的主要因素。Rambus的這一系列創(chuàng)新,能使內(nèi)存系統(tǒng)更適合于這類以處理能力為導(dǎo)向的多核處理器的帶寬和工作負(fù)荷,從而擴(kuò)大未來主內(nèi)存的設(shè)計和解決方案空間,為新一代計算平臺提供支持!

Rambus公司的幾項關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù)將推動主內(nèi)存路線圖的發(fā)展,具體包括:

- FlexPhase技術(shù):XDR內(nèi)存架構(gòu)推出的技術(shù),具有更高的數(shù)據(jù)傳輸率;

- Near Ground Signaling技術(shù):可在顯著降低的IO功率條件下實(shí)現(xiàn)高性能,支持0.5V的工作電壓,同時還可保持穩(wěn)健的信號完整性;

- FlexClocking架構(gòu):用于Rambus的移動存儲技術(shù),通過消除DRAM中DLL和PLL來降低時鐘功率;

- 模塊化線程化技術(shù):提高內(nèi)存工作效率,降低DRAM功耗。結(jié)合低電壓信號傳輸和FlexClocking技術(shù)可使存儲系統(tǒng)功耗降低40%;

- 動態(tài)點(diǎn)對點(diǎn)技術(shù):通過點(diǎn)對點(diǎn)信號傳輸情況,在不影響性能的前提下進(jìn)行容量升級。

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