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DDR2 SDRAM一出現(xiàn)就迅速得到服務(wù)器、工作站和個(gè)人計(jì)算機(jī)OEM廠(chǎng)商的廣泛支持，DDR2存儲(chǔ)器具有高數(shù)據(jù)速率、低功耗以及高密度特點(diǎn)，這些特點(diǎn)也適合當(dāng)前數(shù)字消費(fèi)電子產(chǎn)品的應(yīng)用需求，如機(jī)頂盒和數(shù)碼相機(jī)等。本文對(duì)比分析了DDR2相對(duì)傳統(tǒng)存儲(chǔ)器的性能特點(diǎn)，并介紹了DDR2在數(shù)字消費(fèi)電子產(chǎn)品上的應(yīng)用機(jī)會(huì)。
DRAM市場(chǎng)的特點(diǎn)是技術(shù)不斷提高而需求也持續(xù)增長(zhǎng)，DDR2 SDRAM一出現(xiàn)就迅速得到服務(wù)器、工作站和個(gè)人計(jì)算機(jī)OEM廠(chǎng)商的廣泛支持。對(duì)這些應(yīng)用來(lái)說(shuō)，DDR2 SDRAM是一個(gè)理所當(dāng)然的選擇，因?yàn)樗乃俣群蛶挶菵DR SDRAM高很多，DDR2的1.8V工作電壓使得它可以比其上一代產(chǎn)品功耗整整低50%。
但是，DDR2的優(yōu)勢(shì)決不僅局限于這些應(yīng)用，DDR2的高密度、高功效和改善的熱特性為臺(tái)式電腦、筆記本電腦和小外形消費(fèi)電子產(chǎn)品帶來(lái)了巨大優(yōu)勢(shì)。這些優(yōu)勢(shì)的利用將依賴(lài)于封裝和模塊技術(shù)的不斷發(fā)展，特別是在消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域。這個(gè)新興的市場(chǎng)代表著DRAM工業(yè)一個(gè)新的前沿應(yīng)用，它將為那些愿意接受挑戰(zhàn)以滿(mǎn)足新要求的商家?guī)?lái)大量機(jī)會(huì)。
加速向DDR2轉(zhuǎn)換
服務(wù)器、工作站和個(gè)人計(jì)算機(jī)等傳統(tǒng)DRAM市場(chǎng)正在快速向DDR2轉(zhuǎn)換。英特爾公司已經(jīng)宣布其未來(lái)的所有芯片組將支持DDR2，其它的主要芯片組供應(yīng)商看起來(lái)也將步英特爾的后塵。今春英特爾開(kāi)發(fā)商論壇和存儲(chǔ)器生產(chǎn)商論壇所開(kāi)展的活動(dòng)使那些希望向DDR2加速轉(zhuǎn)變的人受到鼓舞，DRAM市場(chǎng)上的大部分主要供應(yīng)商目前提供經(jīng)過(guò)英特爾驗(yàn)證的DDR2產(chǎn)品。半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備從8英寸到12英寸晶圓工藝的轉(zhuǎn)變有助于提高產(chǎn)品良率，進(jìn)而提高DRAM的產(chǎn)量。對(duì)于1Gb DRAM器件來(lái)說(shuō)，在單一芯片上既支持DDR1又支持DDR2架構(gòu)的電路技術(shù)很關(guān)鍵，它使得向DDR2的轉(zhuǎn)換更加容易。
DDR2 SDRAM的優(yōu)勢(shì)
DDR2 SDRAM目前的數(shù)據(jù)傳輸速率最高為533Mbps，這是DDR266的兩倍。除了在原始帶寬方面的一些提高外，它還提高了系統(tǒng)的性能和功效，并方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)。這些改進(jìn)可以分成以下四大類(lèi)：
4位預(yù)取架構(gòu) 采用DDR2的4位預(yù)取(Prefetch)架構(gòu)，DDR2 SDRAM作為外部總線(xiàn)每個(gè)時(shí)鐘從存儲(chǔ)器單元陣列讀/寫(xiě)的數(shù)據(jù)量是原來(lái)的四倍，而且其工作頻率比內(nèi)部總線(xiàn)頻率快四倍。DDR2 SDRAM、DDR SDRAM 和SDR SDRAM與工作頻率為100MHz的DRAM之間的比較結(jié)果如下圖所示。
片上端接 DDR2的其它特性為主板設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)了好處，例如利用DDR2的片上端接(ODT)來(lái)簡(jiǎn)化DQ總線(xiàn)設(shè)計(jì)。在DDR2 SDRAM中，端接寄存器(termination register)就實(shí)現(xiàn)在該DRAM芯片之中，而不是安裝在主板上(見(jiàn)下圖)。DRAM控制器可以為每個(gè)信號(hào)設(shè)定端接寄存器的開(kāi)或關(guān)，這些信號(hào)包括數(shù)據(jù)I/O 、差分?jǐn)?shù)據(jù)選通信號(hào)和寫(xiě)數(shù)據(jù)屏蔽。利用ODT就不需要Vtt發(fā)生器或Rtt電阻，而且能降低多重反射，提高信號(hào)完整性并增加時(shí)序裕量。
片外驅(qū)動(dòng)器(OCD)校準(zhǔn) OCD校準(zhǔn)改進(jìn)了DDR2 SDRAM的信號(hào)完整性。其做法是：設(shè)定該I/O驅(qū)動(dòng)器的電阻來(lái)調(diào)整該電壓，補(bǔ)償上拉/下拉電阻；通過(guò)將DQ-DQS偏移降到最低來(lái)改進(jìn)信號(hào)完整性；控制過(guò)沖和下沖來(lái)改進(jìn)信號(hào)質(zhì)量；通過(guò)I/O驅(qū)動(dòng)器電壓校準(zhǔn)可以修正不同DRAM供應(yīng)商之間的工藝差異。 前置CAS和附加延遲 在一個(gè)前置CAS操作中，一個(gè)CAS信號(hào)(讀/寫(xiě)命令)可以在RAS信號(hào)輸入之后成為下一個(gè)時(shí)鐘的輸入。該CAS指令可以在DRAM一側(cè)保持，并在附加的延遲(0、1、2、3和4)之后執(zhí)行。這樣簡(jiǎn)化了控制器設(shè)計(jì)，因?yàn)樗梢员苊庵噶羁偩�(xiàn)上的沖突。而且，采用一個(gè)簡(jiǎn)單的指令序列還可以提高指令和數(shù)據(jù)總線(xiàn)的效率。由于在讀/寫(xiě)指令之間不存在“氣泡”(bubble)或空隙周期，因此實(shí)際的存儲(chǔ)器帶寬也得到提高。最后一點(diǎn)，DDR2采用細(xì)間距球柵陣列(FBGA)封裝可以減小系統(tǒng)尺寸，并提高信號(hào)完整性。這種技術(shù)的一個(gè)變體是新型的堆疊式FBGA(sFBGA)，它增加了各模塊之間的空氣流動(dòng)空間從而提高了熱性能和可靠性。這類(lèi)符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、兼容JEDEC的創(chuàng)新是優(yōu)化DDR2優(yōu)勢(shì)的關(guān)鍵。
存儲(chǔ)器模塊
對(duì)那些已經(jīng)充分準(zhǔn)備轉(zhuǎn)向DDR2的開(kāi)發(fā)商來(lái)說(shuō)，用于服務(wù)器平臺(tái)的1GB和512MB DDR2帶寄存器的雙列直插式內(nèi)存模塊(registered DIMM)已經(jīng)可以批量提供，2GB的DDR2 帶寄存器的DIMM已可以提供樣品。這些2GB的模塊將使服務(wù)器產(chǎn)品的密度有很大提高，同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)每秒4.3GB的數(shù)據(jù)傳輸率。 本新聞共 3頁(yè),當(dāng)前在第 1頁(yè) 1 2 3 |
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