對于DRAM產(chǎn)業(yè)來說，2007與2008年絕對是艱困的二年，市場供過于求與DRAM廠的大幅擴產(chǎn)導(dǎo)致DDR2顆粒價格嚴(yán)重下跌，隨著第四季的PC銷售可能不如預(yù)期下，更讓DRAM顆粒庫存水位攀升，價格更是頻頻破底，截至目前為止DDR2 1Gb eTT的現(xiàn)貨報價僅在1.15美元，而DDR2 667 1Gb落在1.19美元間，縱使目前DDR2的價格已遠(yuǎn)低于變動成本，對于DRAM廠而言，DDR3內(nèi)存的開發(fā)仍是下一場戰(zhàn)爭的必要關(guān)鍵。
DDR3的開發(fā)歷史始于2005年初，2007年中以90nm正式生產(chǎn)同時應(yīng)用在第一片支持DDR3的主機板Intel P35上面，隨著制程上的進(jìn)步與新PC機種的不斷推陳出新，集邦科技分析師預(yù)估DDR3內(nèi)存有機會在2009年底前將有20-30%的PC主機的搭載率。
DDR3規(guī)格優(yōu)勢：高頻率低電壓
根據(jù)由JEDEC協(xié)會所制定的規(guī)格來看，由技術(shù)面來切入DDR3與DDR2的異同點，DDR3擁有高頻率低電壓的優(yōu)點，DDR3可以比DDR2運作時省下約30%的電力，速度方面DDR3從800Mbps起跳最高可以至1600Mbps，幾乎是DDR2的二倍速度，正因為高傳輸率的關(guān)系，DDR3可以在一個時序(Clock)之中傳出8bit的數(shù)據(jù)，比起DDR2的4bit也是二倍的數(shù)據(jù)傳輸量，低電壓更是DDR3的優(yōu)勢之一，1.5伏特的電壓比DDR2的1.8伏特降低了17%，更讓筆記型計算機在操作上可以延長使用時間，甚至在某些DRAM廠的開發(fā)進(jìn)程(Roadmap)中，更把1.35伏特的超低電壓版DDR3顆粒列入開發(fā)之列，企圖搶攻高階NB市場也拉大與競爭對手的規(guī)格差距。
Intel芯片組對于DDR3支持程度最高
以各家芯片組廠商來分析，英特爾(Intel)支持DDR3內(nèi)存的芯片組數(shù)量為各家之最，種類也從低階芯片組，乃至中高階皆能完整支持DDR3內(nèi)存，中間僅有支持速度上的差距，尤其高階芯片組X系列，更可支持Intel XMP(eXtended Memory Profile)的超頻系統(tǒng)，讓DDR3內(nèi)存最佳化。而以顯示芯片見長的NVIDIA，在主機板市場也不遑多讓，相繼在nForce系列支持DDR3內(nèi)存的芯片組，亦推出與Intel類似的內(nèi)存超頻系統(tǒng)EPP2(Enhanced Performance Profiles)，可以針對DDR3內(nèi)存中的參數(shù)做出最佳化的運作模式。超微(AMD)芯片組方面，因為中央處理器(CPU)設(shè)計的關(guān)系，AMD將內(nèi)存的控制器是內(nèi)建在CPU當(dāng)中，所以必須等待下一世代的處理器AM3，方可支持DDR3內(nèi)存。
DDR3制程發(fā)展與市場現(xiàn)況分析
由各家的產(chǎn)品進(jìn)程表來分析，目前有在生產(chǎn)的DDR3顆粒仍為主要國際大廠，如三星、海力士及爾必達(dá)等，臺系DRAM方面僅有南亞有在生產(chǎn)DDR3顆粒，其它DRAM廠尚未有具體的生產(chǎn)計劃，而就生產(chǎn)比例來看，以三星和爾必達(dá)生產(chǎn)最為積極，集邦科技預(yù)估，年底前這二家將近有10%DRAM產(chǎn)能生產(chǎn)DDR3顆粒。此外，隨著制程上的進(jìn)步，70nm以下的制程甚至于65nm與56nm的DDR3顆粒將陸續(xù)于今年下半年至明年正式量產(chǎn)，加上PC OEM廠接受度增高，有機會可以達(dá)到經(jīng)濟規(guī)模，正式啟動DDR2與DDR3的世代交替。
根據(jù)集邦科技統(tǒng)計，至年底前為止DDR3占整體DRAM顆粒的產(chǎn)出量約在4%左右，比例上雖不大，但各家DRAM廠極力說服PC OEM廠采用DDR3內(nèi)存卻動作頻頻，DRAM廠除了確保穩(wěn)定供貨外，更提供極為優(yōu)惠的價格給愿意采用的廠商，拉近DDR3與DDR2內(nèi)存模塊的價格差距，所以在筆記型計算機市場上，如Dell、SONY、Lenovo、Toshiba與Acer等已相繼推出搭載DDR3內(nèi)存的新機種上市，年底前預(yù)估會有更多的PC OEM廠商加入DDR3機種的戰(zhàn)局。
