NAND閃存
以諾基亞N 8為例,物料清單顯示該機(jī)采用了16G B東芝NAND內(nèi)存作為大容量存儲(chǔ),這同時(shí)也是目前大容量存儲(chǔ)設(shè)備所采用的主流解決方案。日本的東芝、日立等多家企業(yè)都是NAN D閃存的核心制造商,而此次地震又對(duì)該國(guó)的NAND存儲(chǔ)行業(yè)影響巨大。據(jù)悉,產(chǎn)量至少在7月才能完全恢復(fù)。因此類(lèi)似諾基亞N8這類(lèi)采用大容量閃存作為存儲(chǔ)介質(zhì)的手機(jī),將面臨零件產(chǎn)能不足。
DRAM內(nèi)存
DRAM是手機(jī)的隨機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器,對(duì)手機(jī),尤其是智能手機(jī)的性能影響巨大,其中日本爾必達(dá)是全球公認(rèn)的關(guān)鍵生產(chǎn)商。據(jù)了解,此次日本地震造成的斷電和限電,使?fàn)柋剡_(dá)的秋田工廠受到了影響,許多封裝工序只能由臺(tái)灣企業(yè)代為完成,降低了效率還提高了價(jià)格。
三洋電容
對(duì)于手機(jī)而言,在便攜、功耗和性能上占優(yōu)的三洋固態(tài)電容已被廣泛采用,替代了過(guò)去公版的超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)。不過(guò)此次地震中三洋的工廠和交通物流等方面均遭到了不同程度的破壞,對(duì)正常出貨亦構(gòu)成了極大的影響。
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