DDR顯存分為兩種,一種是大家習(xí)慣上的DDR內(nèi)存,嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM。另外一種則是DDR SGRAM,此類(lèi)顯存應(yīng)用較少、不多見(jiàn)。
DDR SDRAM 人們習(xí)慣稱(chēng)DDR SDRAM為DDR。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě),是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR SDRAM是在SDRAM基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言,只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。
SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù),它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸;而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù),因此稱(chēng)為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。
與SDRAM相比:DDR運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路,使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨(dú)立執(zhí)行,又保持與CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào))技術(shù),當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí),存儲(chǔ)控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)來(lái)精確定位數(shù)據(jù),每16次輸出一次,并重新同步來(lái)自不同存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)。DDL本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度,它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù),因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍。DDR SDRAM是目前應(yīng)用最為廣泛的顯存類(lèi)型,90%以上的顯卡都采用此類(lèi)顯存。
DDR SGRAM DDR SGRAM是從SGRAM發(fā)展而來(lái),同樣也是在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù),它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。可以在不增加頻率的情況下把數(shù)據(jù)傳輸率提高一倍。DDR SGRAM在性能上要強(qiáng)于DDR SDRAM,但其仍舊在成本上要高于DDR SDRAM,只在較少的產(chǎn)品上得到應(yīng)用。而且其超頻能力較弱,因其結(jié)構(gòu)問(wèn)題超頻容易損壞。 |