2．內(nèi)存條購(gòu)買(mǎi)標(biāo)準(zhǔn)的修正
大家都知道這么一個(gè)購(gòu)買(mǎi)常識(shí)：購(gòu)買(mǎi)內(nèi)存時(shí)盡量選用單面內(nèi)存。但是這個(gè)經(jīng)驗(yàn)是來(lái)自這樣一個(gè)背景：許多不正規(guī)的小廠(chǎng)使用低容量芯片（比如已經(jīng)過(guò)時(shí)16Mbit）來(lái)制造目前使用的高容量?jī)?nèi)存條，由于單個(gè)芯片容量小，為了達(dá)到較大的內(nèi)存條容量，必然要增加芯片數(shù)目，而且這些過(guò)時(shí)的芯片很可能是一些翻新貨，并且芯片之間電氣參數(shù)的一致性也很差。不過(guò)根據(jù)分析更準(zhǔn)確地講購(gòu)買(mǎi)原則應(yīng)該：是選擇單物理BANK的內(nèi)存。以前由于大多數(shù)單面內(nèi)存都是單BANK內(nèi)存，所以大家一直就是這個(gè)說(shuō)法，實(shí)際上通過(guò)前面的分析我們知道內(nèi)存條的面數(shù)與物理BANK數(shù)是無(wú)關(guān)的。單個(gè)物理BANK，內(nèi)存只要取一組64位數(shù)據(jù)，而不需要再切換到另外一個(gè)BANK讀去另外一組64位數(shù)據(jù)，切換的時(shí)間省去了，性能必然有提高。目前由于一個(gè)DIMM插槽最多支持兩個(gè)物理BANK，BIOS設(shè)置中是對(duì)同一個(gè)內(nèi)存插槽的兩個(gè)BANK同時(shí)進(jìn)行速度調(diào)節(jié)的，比如BANK 0/1 DRAM Timing；BANK 2/3 DRAM Timing；BANK 4/5 DRAM Timing選項(xiàng)。，所以我們?cè)谶x擇內(nèi)存的時(shí)候應(yīng)該根據(jù)內(nèi)存條上芯片的編碼，確定內(nèi)存條是單BANK還是雙BANK，排除下面講到的DIMM插槽信號(hào)走線(xiàn)的影響，一根雙BANK的內(nèi)存條與兩根單BANK的內(nèi)存條在性能上是沒(méi)有多少差別的。能用一個(gè)插槽不要使用兩個(gè)插槽的說(shuō)法是沒(méi)有依據(jù)的�？傮w上講3個(gè)DIMM插槽在總?cè)萘繚M(mǎn)足要求的情況下，使用BANK的數(shù)目愈少愈好。千萬(wàn)不要出現(xiàn)使用大量低容量芯片組裝的條子占用3個(gè)DIMM全部6個(gè)BANK的情況。
3．DIMM插槽超頻性能不一致與內(nèi)存BANK無(wú)關(guān)
前面我們說(shuō)了盡量減少DIMM插槽的使用，但是有時(shí)從保護(hù)已有投資考慮，以前購(gòu)買(mǎi)的低容量?jī)?nèi)存又不好丟棄，所以有時(shí)可能還會(huì)出現(xiàn)同時(shí)使用三個(gè)DIMM插槽的情況，但需要注意的是這時(shí)不一定同時(shí)使用全部6個(gè)BANK，很可能只使用了3個(gè)BANK。很多人發(fā)現(xiàn)這三個(gè)DIMM插槽所允許的最大速度是不同的（VIA主板BIOS允許分別對(duì)每個(gè)DIMM插槽進(jìn)行速度調(diào)節(jié)），一般DIMM2最高，DIMM1其次，DIMM3最差。這與內(nèi)存條的BANK有無(wú)關(guān)系呢？根據(jù)前面分析，筆者認(rèn)為無(wú)關(guān)，這主要與內(nèi)存BANK控制信號(hào)在主板上的走線(xiàn)有關(guān)，很多有4個(gè)DIMM插槽的BX主板，由于BX主板最大只能支持6個(gè)BANK，所以DIMM3與DIMM4的信號(hào)走線(xiàn)是共享的，因此導(dǎo)致DIMM2與DIMM3走線(xiàn)設(shè)計(jì)不一致而導(dǎo)致兩者的超頻性能相差極大。這也是一些內(nèi)存甚至無(wú)法用在DIMM3和DIMM4插槽上的主要原因。那么DIMM1為什么超頻性能還可以呢？主要是主板BIOS或北橋芯片檢測(cè)內(nèi)存時(shí)是按照BANK編號(hào)的順序進(jìn)行的，他們要求第一條內(nèi)存必須插在DIMM1上，所以設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)其進(jìn)行了一些電路上的優(yōu)化。所有一切與內(nèi)存的物理和邏輯BANK的結(jié)構(gòu)和工作機(jī)理無(wú)關(guān)。
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